首页 > 商品目录 > > > > AON6242代替型号比较

AON6242  与  BSC028N06LS3 G  区别

型号 AON6242 BSC028N06LS3 G
唯样编号 A-AON6242 A-BSC028N06LS3 G
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 22 Ohms -
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.6mΩ@10V 2.8mΩ@50A,10V
ESD Diode No -
上升时间 - 17ns
Rds On(Max)@4.5V 4.5mΩ -
Qg-栅极电荷 - 175nC
Qgd(nC) 3 -
栅极电压Vgs 20V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 60S
Td(on)(ns) 13 -
封装/外壳 DFN 5x6 PG-TDSON-8-1
连续漏极电流Id 85A 100A
工作温度 - -55°C~150°C
Ciss(pF) 5305 -
配置 - Single
长度 - 5.9mm
下降时间 - 19ns
Schottky Diode No -
高度 - 1.27mm
Trr(ns) 24.5 -
Td(off)(ns) 47 -
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 83W 139W
Qrr(nC) 125 -
VGS(th) 2.5 -
典型关闭延迟时间 - 77ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS™
Coss(pF) 540 -
Qg*(nC) 23 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6242 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 60V 20V 85A 83W 3.6mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
BSC028N06NS Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC028N06NSATMA1_60V 100A 2.8mΩ 10V 83W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 5,000 对比
IRFH7085TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 156W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 3.2mΩ@75A,10V N-Channel 60V 23A PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
BSC028N06LS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC028N06LS3GATMA1_60V 100A 2.8mΩ@50A,10V ±20V 139W N-Channel -55°C~150°C PG-TDSON-8-1

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售